產(chǎn)品引言【TC Wafer】

等離子體刻蝕是一種將化學和物理過程結合在一起的加工技術，以在材料表面形成精確的圖案和結構。

溫度對等離子蝕刻的效果有著重要影響。

腐蝕速率：溫度能夠影響等離子體中離子的能量和遷移能力，因而對腐蝕速率產(chǎn)生影響。一般而言，溫度升高會增加離子的動能，從而導致腐蝕速率增加。

溫度的改變可能會對不同材料的蝕刻速率產(chǎn)生影響，從而對選擇性產(chǎn)生影響。在某些情況下，調整溫度可以優(yōu)化特定材料的選擇性蝕刻。

溫度的變化可能會對表面的化學反應速率產(chǎn)生影響，從而對蝕刻后的表面質量產(chǎn)生影響。若溫度過高或過低，可能會導致表面結構不理想。

邊緣效應是指溫度改變可能導致材料邊緣區(qū)域的蝕刻速率與中心區(qū)域不同，從而影響結構的精確度和均勻性。

在等離子蝕刻過程中，溫度控制起著關鍵的作用。【TC Wafer】

等離子蝕刻過程中，溫度控制尤為重要，因為溫度的變化可能對蝕刻結果產(chǎn)生影響。對溫度進行合理的控制，可以帶來以下好處：

穩(wěn)定性是蝕刻過程的一個重要因素，其中溫度的穩(wěn)定對于蝕刻速率的波動和加工結果的一致性有著積極的影響。

選擇性控制是指在特定溫度條件下，能夠實現(xiàn)對特定材料進行選擇性蝕刻，從而優(yōu)化圖案制備過程。

產(chǎn)品的質量：通過控制溫度，可以減少產(chǎn)品表面的缺陷和邊緣效應，從而提高產(chǎn)品的質量和一致性。

工藝的可重復性可以通過維持穩(wěn)定的溫度條件來確保在不同批次或不同設備下的蝕刻過程具有一致性。

產(chǎn)品概述

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【TC Wafer】等離子蝕刻晶圓溫度測量系統(tǒng)可以記錄等離子蝕刻工藝環(huán)境對真實工藝條件下生產(chǎn)晶圓的影響。該系統(tǒng)使用高精度溫度傳感器實現(xiàn)對晶圓整體溫度的監(jiān)測，這對于控制導體蝕刻工藝的CD均勻性非常重要。通過測量與產(chǎn)品工藝接近的溫度數(shù)據(jù)，可以幫助工藝工程師調整蝕刻工藝條件，驗證和匹配腔體以及PM后的驗證等工作。

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