GaN快速退火爐使用方便，易于操作，加熱元件采用紅外燈管，加熱速度快，節(jié)省時間。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程，操作方便，可快速獲得實驗結(jié)果，省去了重復(fù)的法蘭安裝過程，減少了爐管安裝造成的損壞。那么你知道它該有怎樣的配置和特點(diǎn)嗎？

　　GaN快速退火爐適用于CVD工藝，例如碳化硅涂層，陶瓷基板電導(dǎo)率測試，ZnO納米結(jié)構(gòu)的受控生長，陶瓷電容器（MLCC）氣氛燒結(jié)和其他實驗。此CVD系統(tǒng)配置：1200度開放式真空管式爐（可選單溫度區(qū)，雙溫度區(qū)）。多通道質(zhì)量流量控制系統(tǒng)，真空系統(tǒng)（可以選擇中真空或高真空）。

　1、控制電路采用模糊PID程序控制技術(shù)，具有溫度控制精度高，熱慣性低，溫度超調(diào)，性能可靠，操作簡單的特點(diǎn)。

　2、氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用公司*的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計，提高了操作的便利性。

　3、中真空系統(tǒng)具有自動控制真空度上限和下限的功能，高真空系統(tǒng)使用高壓耐沖擊分子泵。

　　GaN快速退火爐易于操作，加熱元件采用紅外燈管，加熱速度快，節(jié)省時間。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程，操作方便。實驗結(jié)果可以很快獲得，并且省去了重復(fù)的方法，藍(lán)色的安裝過程減少了由于安裝引起的爐管損壞。