RTP快速退火
RTP(Rapid Thermal Processing)快速熱處理,是在非常短的時(shí)間內(nèi)將整個(gè)硅片加熱至400~1300℃溫度范圍內(nèi)的一種方法,相對于爐管退火,它具有熱預(yù)算少,硅中雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)小,玷污小和加工時(shí)間短等特點(diǎn)。
適用產(chǎn)品:TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)