【快速退火爐】（RapidThermalProcessing簡(jiǎn)稱RTP）這是一種在短時(shí)間內(nèi)對(duì)設(shè)備進(jìn)行高溫加熱和冷卻的技術(shù)。

快速退火爐的原理是應(yīng)用高功率的激光或者電阻加熱使試品快速升溫到所需的溫度，隨后通過(guò)調(diào)節(jié)升溫時(shí)間和冷卻速率，使試品在高溫下保持足夠的時(shí)間，并立即冷卻到室溫。這一類高速加熱和冷卻的環(huán)節(jié)可以有效地改善材料的特性。

【快速退火爐】的用途廣泛，包括以下幾個(gè)方面：

1.材料改性-通過(guò)快速退火爐能改變材料晶體結(jié)構(gòu)和相變行為，從而改變其電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)等性能。比如說(shuō)，可以通過(guò)快速退火爐來(lái)提升晶體的結(jié)晶度和晶粒尺寸，提高材料導(dǎo)電性能。

2.薄膜沉積-快速退火爐可以用于熱化學(xué)氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）等薄膜沉積技術(shù)的后處理。通過(guò)快速退火，能提高薄膜的結(jié)晶度和致密性，改善薄膜的生長(zhǎng)質(zhì)量。

3.制取納米材料-快速退火爐可以用于制取納米材料。通過(guò)調(diào)節(jié)快速退火時(shí)間和溫度，也可以在材料上產(chǎn)生納米顆?；蚣{米結(jié)構(gòu)，從而改變材料的光學(xué)、電學(xué)等性質(zhì)。

4.半導(dǎo)體器件制取-快速退火爐在半導(dǎo)體器件制取中具有重要應(yīng)用。它可以用作離子注入后材料去損傷和結(jié)構(gòu)修補(bǔ)，以及材料活化和晶體的再配向等。

【快速退火爐】技術(shù)在材料科學(xué)和半導(dǎo)體工藝等領(lǐng)域具有關(guān)鍵實(shí)用價(jià)值，能改變材料的性質(zhì)和性能，并為新材料的開(kāi)發(fā)與器件制取提供強(qiáng)有力的支持。