RTD Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到 晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。
【應(yīng)用范圍】
光刻、涂膠顯影 TRACK 設(shè)備、原子層沉積 (ALD)、探針臺(tái)測(cè)溫、高精度加熱盤(pán)
【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. ±0.05℃高精度測(cè)溫監(jiān)測(cè)：RTD傳感器能夠提供高精度的溫度讀數(shù)，確保半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟能夠在最佳溫度下進(jìn)行，從而保證產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。
2. 實(shí)時(shí)測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)獲?。?/strong>通過(guò)RTD Wafer，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓在熱處理和刻蝕過(guò)程中的溫度變化，實(shí)現(xiàn)即時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，優(yōu)化生產(chǎn)效率。
3. 測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)分析能力：測(cè)量后的數(shù)據(jù)通過(guò)軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù)，提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。
4.支持過(guò)程調(diào)整與驗(yàn)證：通過(guò)分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)調(diào)整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件，以確保最佳性能。
5. 全面熱分布區(qū)監(jiān)測(cè)：在晶圓上支持多達(dá)81個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)，從而獲得全面的熱分布圖。
【參數(shù)配置】
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